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AN1F4N


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1F4N ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AN1F4N
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AN1F4N Datenblatt (jpg):-
AN1F4N Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AA1F4N
Ähnliche Typen:DTA124XS, [mehr]
DTA124XS,KSR2007,RN2008
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AN1F4N


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1F4N ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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AN1F4N


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AN1F4N ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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Komplementär Typ:AA1F4N
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

KSR2007


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE >68
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2007 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR2007
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
KSR2007 Datenblatt (jpg):verfügbar
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KSR2007


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE >68
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2007 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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Samsung Electronics CO. LTD.
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KSR2007


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE >68
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
der KSR2007 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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Ähnlicher Typ: KSR2007
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Samsung Electronics CO. LTD.
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RN2008


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2008 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: RN2008
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN2008 Datenblatt (jpg):-
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RN2008


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2008 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: RN2008
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN2008


SI PNP Transistor
ähnlich AN1F4N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 200MHz
TJ -
der RN2008 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 22kOhm, Rbe 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: RN2008
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN2008 Datenblatt (jpg):-
RN2008 Datenblatt (pdf):-
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